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根据摩尔定律，随着每单位面积芯片集成更多的晶体管，芯片的尺寸将缩小，处理速度将提高，成本将降低。对于每一代新产品来说，使用一个单晶电池可以生产更多的芯片，这将降低每个晶体管的成本。英特尔联合创始人戈登·摩尔在20世纪60年代首次提出了这项法律。
然而，萨姆利说，推进摩尔定律需要更复杂的制造技术。这项技术本身很昂贵，因此削弱了芯片替换带来的成本优势。萨姆利在1991年作为联合创始人创立了Broadcom。他表示:“成本曲线已经趋于平稳。”
他说，目前芯片制造商不能关注速度、功耗和成本，而只能关注其中的两个。他指出，近年来，高k金属栅极和鳍式场效应晶体管(finfet)等新技术的应用带来了新的制造工艺。半导体行业将在明年实现14纳米制造工艺。如此高的晶体管集成度意味着传统制造技术不再适用。萨姆利说，芯片集成度越高，芯片制造成本就越高。
根据Samley的说法，制造过程本身仍将改进/0/，但在未来15年内它还将面临瓶颈。三代之后，芯片制造工艺将达到5纳米。在这种情况下，每个晶体管栅极从头到尾的长度只有10个原子。在此基础上，进一步发展是不可能的。
萨姆利说:“你不能只用一个原子来制造晶体管。”目前，还不清楚在这种情况下半导体工业将如何发展。他说:“到目前为止，我们不知道在过去的50年里，cmos晶体管是否还有其他替代品。”
然而，成本上升的影响会更快地反映出来。例如，一些芯片制造商会坚持使用目前的制造工艺来生产一些产品，只有那些对性能和功耗要求较高的芯片才会继续投资以提高集成度。在模拟芯片市场，这种趋势已经出现，一些制造商仍然使用五年前的流程来生产产品，同时从芯片设计开始进行创新。
萨姆利表示，尽管Broadcom生产的一些网络设备芯片需要更先进的制造技术，但许多用于消费设备的芯片并不具备这种要求。他指出:“你不必用10纳米的cmos工艺来生产wifi芯片。”28纳米工艺就足够了。”
市场研究公司insight64的首席分析师内森布鲁克伍德(Nathan brookwood)表示，下一代芯片的成本曲线将恢复正常，真正的挑战在于制造过程达到5纳米。他说:“那时我们会遇到很多问题。”但好消息是，工程师们将继续寻找解决方案。“如果他们找不到路，整列火车都会被堵死。”(维京)
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