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三星电子是一家nand闪存工厂，一期投资高达70亿美元，将设在Xi。 nand闪存是一种存储介质，主要用于智能手机和平板电脑等移动终端。据韩联社报道，三星电子表示，已经与Xi签署了生产新一代闪存芯片的谅解备忘录。预计该生产线将于明年年底正式投产，芯片月生产能力预计将达到10万片。这家新工厂将使用10纳米工艺。10纳米技术是三星计划今年投入使用的最新技术。据业内人士透露，如果采用10纳米制造工艺，用同样的材料生产闪存芯片，产量将比20纳米技术翻一番还多。对三星来说，在中国投资建厂是一种冒险的尝试。三星在海外建设高科技生产线时非常担心技术泄露的风险。过去，它没有在韩国和美国以外建立高科技生产工厂。在此之前，三星只在美国德克萨斯州奥斯汀设立了一家芯片制造厂。 相比之下，三星的竞争对手海力士(Hynix)早在2004年就投资20亿美元落户无锡，其12英寸芯片产能已从初始阶段的每月18000个芯片增加到每月180000个芯片。 iSuppli半导体首席分析师顾文军认为，在这个“快鱼吃慢鱼”的时代，在中国建厂已成为贴近市场、快速反应、充分利用中国资源和市场的重要途径。 “三星改变战略的原因是，中国已经是智能手机和平板电脑等移动终端的最大生产基地和消费市场，加快中国半导体制造布局的目的是为了更接近中国市场，在各个方面与苹果展开竞争。而且，目前中国芯片企业的整体竞争实力太弱，芯片产业已经基本被抛弃。没有必要担心技术泄漏。”顾文军告诉中国商业新闻。 三星电子还表示，在中国建厂的主要原因是，它能够快速有效地满足当地消费者的需求。 根据gartner的数据，去年中国市场消费了全球市场的一半，规模达290亿美元，成为全球最大的芯片消费国。到2015年，中国的市场份额将升至55%。
